型　  号：MJB4 

  功　　　  能：

• 可用于标准光刻
  Standard lithography applications

  主要指标：

• 曝光波长(Wavelength)：UV 400
• 曝光面积(Effective exposure size)：100 mm(4-inch)
• 分辨率(Resolution)：≤0.8 µm
• 正面套刻精度(Top side alignment accuracy)：≤  ±0.5 µm
• 光强均匀度(Intensity Uniformity)：≤ ±5％ for 100 mm wafers
• 曝光模式 (Printing modes)：接近、硬接触、软接触和真空4种模式 (proximity, hard, soft and vacuum contact modes)

  技术特点：

• 在亚微米范围，具有高的对准精度和分辨率
  high precision alignment and high resolution printing capability in the submicron range