美国南加州大学（University of Southern California）利用碳纳米管（CNT）开发出了载流子迁移率最大为1300cm²/Vs的透明TFT英文发布资料。载流子迁移率的提高是通过提高CNT结构的密度而实现的。最大透射率平均为80％。开、闭路时，源/漏极间的电流比为3×10⁴。因能用120℃以下的工艺制作，可在玻璃和PET底板上形成TFT。

　　开发该TFT的是南加州大学电子工程系（Department of Electrical Engineering）教授周崇武（Chongwu Zhou）的研究小组。制法为：首先使CNT在石英底板上生长，然后将其移动到预先形成了ITO栅电极的玻璃或PET底板上。之后，形成透明源极和漏极。CNT管壁的厚度相当于一个碳原子。

　　周崇武等人表示，采用此次开发的透明TFT驱动市场上销售的GaN LED时，光度可达原来的1000倍。