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三星推出内置高速纳米级闪存硬盘
来源:科技日报

据韩国联合通讯社报道,三星电子6月17日称,最近推出安装20纳米级高速NAND闪存的512GB固态硬盘。

三星电子计划从2010年7月起大量生产用于个人计算机储存设备的512GB固态硬盘,并在64GB、128GB、256GB固体硬盘上也安装高速NAND闪存。

高速NAND闪存结合SDR闪存与非同期型DDR技术,在电力不增加消耗的情况下,可大幅提高读取速度。三星电子从2009年11月开始大批生产高速NAND闪存。

三星在这次推出的新款固态硬盘中,还安装了自主开发的高速NAND闪存控制器,因此在SATA3Gbps界面上可以将数据传输速度提高到最大水平。

由于NAND串中没有金属触点,所以其传输效率较高,能够为当今低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存可用于几乎所有可擦除式存储卡。

NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计,就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。

三星电子一直致力于NAND闪存技术在个人电脑应用方面的研发工作,并不断取得新进展。三星电子副社长全东守称:“三星电子将通过与众不同的技术,继续加强固态硬盘和NAND闪存领域的竞争力。”


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