冷场发射扫描电子显微镜
型号：S-4800 型
一.设备外型：
二.主要技术参数：
1. 二次电子分辨率:1.0nm(15 kV); 2.0 nm(1 kV)
2. 背散射电子分辨率:3.0 nm(15 kV)
3. 电子枪:冷场发射电子源
4. 加速电压:0.5~30 kV（0.1 kV/步，可变）
5. 放大倍率:×30 ~ ×800,000。
6. X射线能谱仪的元素分析范围为Be4~U92。
三.主要特点：
S-4800型高分辨场发射扫描电镜（简称S-4800）为日本日立公司于2002年推出的产品。该电镜的电子发射源为冷场，物镜为半浸没式。在高加速电压（15kV）下，S-4800的二次电子图像分辨率为1 nm，这是目前半浸没式冷场发射扫描电镜所能达到的最高水平。该电镜在低加速电压（1kV）下的二次电子图像分辨率为2nm，这有利于观察绝缘或导电性差的样品。S-4800的主要附件为X射线能谱仪。利用S-4800和X射线能谱仪可以在观察样品表面微观形貌的同时进行微区成分定性和定量以及元素分布分析。此次所购X射线能谱仪的元素分析范围为Be4~U92，从而可以分析轻元素。由于S-4800不能在低真空条件下工作，因此不适合直接观察含水和含油样品。
四.应用领域：
1. 用于观察材料表面的微细形貌、断口及内部组织，并对材料表面微区成分进行定性和定量分析，主要用途如下：
2. 金属、陶瓷、混凝土、生物、高分子、矿物、纤维等无机或有机固体材料的断口、表面形貌、变形层等的观察；
3. 材料的相分布和夹杂物形态成分的鉴定；
4. 金属镀层厚度及各种固体材料膜层厚度的测定；
5. 纳米材料及其它无机或有机固体材料的粒度观察和分析；
6. 进行材料表面微区成分的定性和定量分析。
场发射透射电子显微镜
型号：Tecnai G2 F20 U-TWIN
一.设备外型：
二.生产厂家：美国FEI公司
三.主要规格及技术指标：
1. 最高加速电压200 kV
2. Schottky热场发射电子枪
3. 晶格分辨率 0.10 nm，点分辨率 0.19 nm
4. 信息分辨率 0.12 nm，STEM分辨率 0.14 nm
5. 最小束斑尺寸≤0.2nm
6. 最小能量分散 200kv下0.7eV或更低
7. 放大倍数 25×-1000k×，最大倾转角 ± 24°
8. X射线能谱分辨率 136eV 分辨范围 Be-U
四.主要附件：
1.美国Gatan公司的GIF Tridiem能量过滤成像系统及2K×2K CCD相机；
2.美国EDAX公司X射线能谱仪；
3.数字化扫描附件及高角环形暗场探头。
五.主要功能及应用范围：
观察各种材料的微观结构并对样品进行纳米尺度的微区分析，如：形貌观察，高分辨电子显微学研究（HRTEM），电子衍射（ED），会聚束电子衍射（CBED），衍射衬度成像（BF，DF），电子能量损失谱分析（EELS）及能量过滤成像（EFTEM），X射线能谱分析（EDS），原子序数Z-衬度成像（HAADF - STEM）等。
六.仪器特色：
电子束亮度高，束斑尺寸小，相干性好，分辨率高，综合分析能力强。
型号：Tecnai G2 F20 U-TWIN
一.设备外型：
二.生产厂家：美国FEI公司
三.主要规格及技术指标：
1. 最高加速电压200 kV
2. Schottky热场发射电子枪
3. 晶格分辨率 0.10 nm，点分辨率 0.19 nm
4. 信息分辨率 0.12 nm，STEM分辨率 0.14 nm
5. 最小束斑尺寸≤0.2nm
6. 最小能量分散 200kv下0.7eV或更低
7. 放大倍数 25×-1000k×，最大倾转角 ± 24°
8. X射线能谱分辨率 136eV 分辨范围 Be-U
四.主要附件：
1.美国Gatan公司的GIF Tridiem能量过滤成像系统及2K×2K CCD相机；
2.美国EDAX公司X射线能谱仪；
3.数字化扫描附件及高角环形暗场探头。
五.主要功能及应用范围：
观察各种材料的微观结构并对样品进行纳米尺度的微区分析，如：形貌观察，高分辨电子显微学研究（HRTEM），电子衍射（ED），会聚束电子衍射（CBED），衍射衬度成像（BF，DF），电子能量损失谱分析（EELS）及能量过滤成像（EFTEM），X射线能谱分析（EDS），原子序数Z-衬度成像（HAADF - STEM）等。
六.仪器特色：
电子束亮度高，束斑尺寸小，相干性好，分辨率高，综合分析能力强。
热场发射扫描电镜
型号：NOVA NanoSEM430
1. 设备外型：
2. 主要功能：
Nova™ NanoSEM 430型号扫描电镜是一款具备超高分辨率的热场发射扫描电镜，主要用于获得纳米尺寸级别的样品表面形貌信息，可在高真空下实现高压和低压的超高分辨率形貌检测。配备两种物镜模式（浸没式和无场式）。配备红外CCD检测相机，极靴内二次电子检测器，通用ET二次电子检测器，低真空二次电子检测器，极靴内背散射电子检测器，高真空背散射电子探测器，高衬度背散射电子探测器，低真空Helix二次电子探测器。配置电子束减速模式。最大100*100mm样品移动距离。具备优秀的样品位置导航系统。可在低真空下测量未喷镀的导电样品形貌信息，也可在低真空下获得非导电样品的超高分辨率信息。
3. 技术参数：
a. 抽真空时间：至3.0e-2Pa≤150s，至130Pa≤270s。
b. 腔体极限真空≤6e-4Pa，下IGP真空≤5e-5Pa，上IGP真空≤5e-7Pa。
c. UHR模式下在15kV下像散≤15um，1kV下像散≤40um。
d. 15kV下分辨率≤1.0nm，1kV下分辨率≤1.6nm。
e. X-Max80型号能谱仪分析元素范围：Be4-U92，80mm2活区窗口，分辨率优于129eV (MnKα处,计数率为40000cps)。
扫描电子显微镜聚焦离子束双束系统
型号：Nova 200 NanoLab
一. 设备外型：
二. 技术参数：
1.SEM分辨率：1.1nm@15kV， 2.5nm@1kV
2.FIB分辨率：7nm (可达到5nm)
3.加速电压：SEM 200V-30kV, FIB 5-30kV
4.探测器：E-T二次电子探测器，TLD二次电子/背散射电子探测器，CDEM离子探测器，5.样品室红外CCD；可选STEM、固体背散射探测器等
6.气体注入系统（GIS）：Pt沉积气体、W沉积气体、C沉积气体，金属增强蚀刻气体、氧化物增强蚀刻气体等。
三. 主要特点
1.FEI SEM/FIB双束系统，技术成熟，同一操作界面，SPI（FIB加工，SEM同时观察）技术
2.纳米加工、2D/3D纳米表征、纳米分析的理想工具
3.完善的气体注入（GIS）系统
4.丰富的分析功能，如3维重构、STEM分析、能谱分析、EBSP分析等
5.全数字化控制，FIB全自动操作
四. 仪器介绍
Nova 200 NanoLab是FEI于2003年8月正式发布的SEM/FIB双束工作站。
FEI公司在几十年FIB和SEM经验的基础上，结合FEI最新的技术，为材料科学、特别是纳米技术设计了Nova NanoLab。用户可在一套系统上完成：
1.纳米加工
2.纳米原型设计
3.2D/3D纳米表征
4.纳米分析
使这台设备成为联系SEM（进行纳米表征和微米分析）和TEM（纳米和原子级别分析和表征）的桥梁。
MA6双面对准接触式紫外光刻机
型号：MA6
1. 设备外型：
2. 主要功能：
MA6型号双面对准接触式紫外光刻机适用于所有标准化的光刻应用。具备顶部和底部对准系统。底部对准系统允许对基片上下表面进行图形加工，适用于三五族易碎化合物、不规则基片、透明基片以及碎片的微加工。具备键合对准升级功能和衍射减小光学系统。曝光方式可采用接近式、软接触、硬接触以及真空接触四种方式。
3. 技术参数：
（1）曝光波长：UV400
（2）曝光面积：100 mm（4英寸）
（3）分辨率：≤0.8 mm
（4）正面套刻精度：≤ ±0.5 mm
（5）背面套刻精度：≤ ±0.5 mm
（6）光强均匀度：100mm直径内≤±5％
（7）曝光模式可支持硬接触、软接触、接近和真空4种模式
（8）曝光时间范围可调：0-999.9 s
光谱椭偏仪
型号：SE 850 DUV
1. 设备外型：
2. 主要功能：
SE 850 DUV是一台高性能配置的光谱椭偏仪，可在紫外至近红外光谱波段快速获得薄膜光学常数（薄膜厚度和折射率及消光系数等）测量结果。傅里叶变换红外光谱不仅增加了测量速度，分辨率和高信噪比，也提供自动波长校准功能。SE 850 DUV可实现快速和全光谱分辨率测量。
3. 技术参数：
（1）光谱范围：190 –2500 nm。
（2）光谱分辨率：DUV-VIS波段优于0.8 nm，NIR波段：32 cm-1– 1 cm-1。
（3）样品尺寸：6英寸。
（4）最大样品厚度：7 mm。
（5）基片形态：：透明或不透明。
（6）测量时间：DUV-VIS波段最少5 s，NIR波段最少30 s，通常是120 s。
（7）光斑尺寸：直径0.1 mm-4 mm可调。
